3極真空管特性ハイブリッドアンプ(2)
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 半導体でも、特殊なV-FET構造の静電界制御型のFETは、上図の三極真空管特性と同じような出力特性を示すが、現在はごく一部でしたか製造されておらず入手困難な状況である。
 三極真空管とトランジスタを(図-3)のように組み合わせて、出力特性をシミュレーションすると、等価的に小電力の真空管で、大きな出力電流が流せるようになる。
 (図-4)は、12BH7A単体のVp/Ip特性のシミュレーション結果である。
 (図-5)は(図-3)の回路のシミュレーション結果である。
関連サイト: ネットワーク21研究会ハイテク振興センター株式会社
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