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初段アンプ回路の安定化
真空管の特性変動が回路特性への影響を受けないように回路構成を工夫する必要がある。
このアンプでは、初段増幅段のDCバイアスについて、真空管の代表的なデバイスパラメーターとしてgmが変動しても、初段の差動増幅部のDCバランスの平衡度への影響を抑えるような回路構成を採用している。
 （図-8a）（図-8b）は初段増幅部の直流等価回路を示している。
（図-8a）は直流的には自己バイス回路である。
（図-8b）は直流的には差動増幅回路である。
真空管のgmのバラツキによる初段の真空管のプレート電圧のバランスを評価した。
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 初段の12AX7Aのgmを定格値の80%、130%変動させて、12AX7Aのプレート電圧（V1、V2）の差の電圧を特性値として評価してみた。
評価をする際のgm値の組合せは、（表-1）のように組み合わせて、4種類の条件でシミュレーションを行った。
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 （表-2）のシミュレーション結果から、gmの変動に対して、回路01と回路02を比較するとプレート電圧の差の電圧の変動は、標準偏差で9.45→0.075になることがわかる。 |
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